[13a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-N101-1] Microstructural Characterization of GaN films Grown on ScAlMgO₄ Substrate by RF-MBE

〇Yuichi Wada¹, Yuya Kuroda¹, Seiya Kayamoto¹, Naoki Goto¹, Takashi Fuji^1,2, Shinichiro Mouri¹, Yuji Shiraishi², Tsuguo Fukuda², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Fukuda Crystal lab.)

Keywords:ScAlMgO4, TEM, GaN

ScAlMgO₄（SAM）はGaNとミスマッチ1.8%で熱膨張係数差も小さく、さらに無転位SAM結晶が得られていることから、窒化物半導体成長用基板として期待される。我々のグループでは、高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、SAM基板上にGaNおよびInGaNを直接成長させる試みを行っている。本講演では、透過電子顕微鏡を用いて、SAM基板上に直接成長したGaNを断面TEM観察した結果について報告する。