[13a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-N101-2] RF-MBE法を用いたScAlMgO₄基板上InGaNエピタキシャル成長Ⅱ

〇(D)後藤 直樹¹、栢本 聖也¹、黒田 悠弥¹、和田 邑一¹、藤井 高志^1,2、毛利 真一郎¹、白石 佑児²、福田 承生²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.（株）福田結晶研)

キーワード：窒化物半導体、ScAlMgO4、RF-MBE

ScAlMgO4（以下、SAM）は窒化物半導体成長用基板として注目されている。SAMの結晶性向上によりSAM上での窒化物半導体膜の成長技術の確立が求められる。我々はSAM基板上にRF-MBE法を用いてInGaNを成長し、成長したInGaN膜に対して逆格子空間マッピングを行った結果In組成は14.3%であった講演ではこの他の評価結果と更なる成長条件の検討、InNの結晶成長手法であるDERI法を応用して成長したInGaN膜について報告する。