[13a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-N101-7] RF-MBE法で石英ガラス基板上に成長したInGaN

〇(M1)北村 淳一郎¹、塚本 健太¹、村雲 秋斗¹、伊藤 大貴¹、松尾 翔太¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：窒化物半導体

InGaNには、In組成を変化させることでバンドギャップエネルギーを広い範囲で制御できるという特長がある。そのため、高効率の太陽電池やLDなどへの応用が期待されている。しかしながら、格子整合する基板がないという課題があるので、基板の選択が重要となる。従来の研究では、サファイア及びZnOなどの単結晶基板やInN、GaNテンプレートが用いられている。本研究では、InGaNの応用範囲を広げることを目的として、安価で透明性と耐熱性に優れている石英ガラス基板上にInGaNを成長した。