[13a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-N101-8] RF-MBE法による高温InGaNバッファー層を用いた石英ガラス基板上へのInNの二段階成長

〇塚本 健太¹、北村 淳一郎¹、村雲 秋斗¹、伊藤 大貴¹、土岐 真聖¹、松尾 翔太¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：窒化物半導体

InNは電気的特性や光学的特性に優れている一方で、高品質な結晶を成長することが難しい半導体材料である。本研究室では、高温InNバッファー層を用いて、石英ガラス基板上にInNを二段階成長することにより、InNのc軸配向性およびXRDによるωスキャンの半値幅の改善に成功した。本研究では、新たに高温InGaNバッファー層を導入した二段階成長によって、石英ガラス基板上に成長したInNの電気的特性と表面平坦性の改善を試みた。