[13a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-N101-9] RF-MBE法を用いてポリイミド基板上に成長したInN

〇村雲 秋斗¹、伊藤 大貴¹、北村 淳一郎¹、塚本 健太¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：窒化物半導体

現在の窒化物半導体薄膜の成長用基板として、Si、サファイア、SiC、GaNなどの単結晶基板が用いられている。これらの基板は柔軟性がなく、高価格で大面積化が困難である。このような単結晶基板に対して、安価でフレキシブルな基板として、高耐熱性ポリイミドフィルムがある。本研究では、直接遷移型で電子移動度が高く、光デバイスや高速電子デバイスへの応用が期待されるInNをフレキシブル基板上に成長して電気的特性を評価した。