[13a-N304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-N304-2] 極低温に対応した反転電荷密度に基づく新しい解析的しきい値定義の提案

〇竹内 潔¹、水谷 朋子¹、更屋 拓哉¹、小林 正治^1,2、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.東大工)

キーワード：しきい値

解析的に定義されたしきい値はMOSFETのモデリングにおいて重要である。しかし従来の2(Eb-Ei)のバンド曲がりで定義されるしきい値にはFDSOIやFinFETで定義が不明となる、キャリア凍結が起こる極低温で不適切な定義となる、等の問題がある。これらを解決するため、標準化した反転電荷面密度の電圧依存性に基づく、デバイス特性との対応が良い、新しいしきい値の定義法を提案する。