[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[13a-N305-1] InAlN/AlN/GaN構造におけるキャリア散乱要因のAlN層厚依存性

〇(M1)小森 勇太¹、木村 安希¹、星井 拓也¹、宮野 清孝²、津久井 雅之²、水島 一郎²、依田 孝²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大電気電子系、2.ニューフレアテクノロジー)

キーワード：InAlN/GaN、HEMT

InAlN/AlN/GaN構造におけるキャリア散乱要因について解析し、最適なAlN膜厚に関する知見を得る