[13a-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[13a-N305-2] Fabrication and characterization of GaN-HEMT grown on AlN/SiC templates

〇Masatomo Sumiya¹, Osamu Goto², Liwen Sang¹, Yuki Takahara^1,3, Akira Uedono³, Yasutaka Imanak¹, Taichiro Konno², Fumimasa Horikiri², Kenji Kimura², Hajime Fujikura² (1.NIMS, 2.SCIOCS, 3.Univ. of Tsukuba)

Keywords:III-V nitride HEMT, AlN/SiC template

AlN/SiCテンプレート上に比較的薄いGaNチャネル層をヘテロ成長してHEMT構造を作製することを考え、AlN/SiCテンプレート上に0.4 mmのGaN薄膜やAlGaN/GaNヘテロ構造を成長させる条件を検討し、GaN-HEMTデバイス特性の評価を行った。