[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[13a-N305-2] AlN/SiCテンプレート上にヘテロ成長したGaN-HEMT構造の特性評価

〇角谷 正友¹、後藤 修²、Sang Liwen¹、高原 悠希^1,3、上殿 明良³、今中 康貴¹、今野 泰一郎²、堀切 文正²、木村 健司²、藤倉 序章² (1.物材機構、2.サイオクス、3.筑波大)

キーワード：III-V族窒化物HEMT構造、AlN/SiCテンプレート

AlN/SiCテンプレート上に比較的薄いGaNチャネル層をヘテロ成長してHEMT構造を作製することを考え、AlN/SiCテンプレート上に0.4 mmのGaN薄膜やAlGaN/GaNヘテロ構造を成長させる条件を検討し、GaN-HEMTデバイス特性の評価を行った。