[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [13a-N305-6] 窒素プラズマ ALE による P チャネル GaN HFET の特性向上

〇(M1)木村 匠之介¹、三浦 克之¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：窒化ガリウムHFET、P チャネルトランジスタ