[13a-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[13a-N305-7] Comparison of channel conduction modes on lateral GaN FinFETs

〇Mitsutaka Sasaki¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:semiconductor, Gallium Nitride, Device simulation

GaN系FinFETはこれまでに主に二種類の構造が検討されてきた。一つはHEMTの2DEGチャネル側面を掘り込み、ゲート電極を巻き付ける「上面2DEG型 」、もう一つはFinをGaNのみで構成し、Fin構造全体にバルク電流を流す「バルク伝導型」である。しかし、GaN系FinFETにはこの他にも、Fin構造の片方の側面に2DEGチャネルを誘起させる「側面2DEG型」も考えられる。本研究ではデバイスシミュレーションを用いてこれら3種類のチャネル形態の利害得失を検討している。