[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[13a-N305-9] GaN FinFETの低オン抵抗・高耐圧化に向けたドリフト領域拡幅の検討

〇久恒 悠介¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：窒化ガリウム、FinFET