[13a-N307-1~11] 17.3 層状物質

△ [13a-N307-1] 高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作

〇佐々木 太郎¹、上野 啓司²、谷口 尚³、渡邉 賢司³、西村 知紀¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.埼玉大理、3.物材機構)

キーワード：二次元、メモリ、高速動作