2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[13a-S201-1~9] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年9月13日(月) 09:00 〜 11:30 S201 (口頭)

池之上 卓己(京大)、嶋 紘平(東北大学)

10:30 〜 10:45

[13a-S201-6] ミスト化学気相成長法における塩酸と成長温度が酸化ガリウム成長に与える影響

山田 梨詠1、髙橋 昴1、関口 敦1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)

キーワード:酸化ガリウム、ミスト化学気相成長、塩酸

ミストCVD法において, (0001)α-Al2O3基板上にGa2O3薄膜を1時間成長させた. Ga(C5H7O2)3の濃度が0.05mol/Lになるように超純水で調製した後, 塩酸を塩酸濃度が0.10mol/Lから0.47mol/Lまで変化させた. 成長温度は500℃, 550℃, 600℃と変化させた. この結果, 塩酸濃度の増加に伴い粒径と膜厚の増加が確認された. また, 成長温度の増加においても粒径と膜厚の増加が確認された. 従って, 塩酸は表面マイグレーションに寄与していることが示唆される.