[13a-S201-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13a-S201-9] Band alignment of MgS_xO_1-x alloys

〇Yuichi Ota¹, Kentaro Kaneko², Takeyoshi Onuma³, Shizuo Fujita² (1.TIRI, 2.Kyoto Univ., 3.Kogakuin Univ.)

Keywords:Ultra-wide band gap semiconductor, Oxide semiconductor, semiconductor alloys

MgS_xO_1-x混晶のバンドアライメントを第一原理計算に基づいて推定した。S組成を変化させることで価電子帯上端の位置を変調することが可能であることを見出した。その一方でバンドギャップは非線形的な振る舞いを示すことも示唆された。