[13p-N101-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13p-N101-17] AlGaN Channel Thickness Dependence on Properties of AlGaN Channel HEMTs on High-Temperature Annealed AlN

〇Ryuichi Mori¹, Kenjiro Uesugi^2,3, Shigeyuki Kuboya², Kanako Shojiki¹, Hideto Miyake^1,3 (1.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlGaN, High Electron Mobility Transistor, AlGaN Channel HEMT

スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作成したAlNテンプレート上に、チャネル膜厚が異なるAlGaNチャネルを有するHEMT構造をMOVPE法により成長した。チャネル膜厚が500 nmのとき5×5 μm²のAFM像のRMS値は0.31 nmであり高い表面平坦性を得た。また、電気的特性はチャネル膜厚が500 nm以下のときチャネル/バッファ界面の影響を大きく受け、500 nm以上では結晶性・表面平坦の影響が支配的になることがわかった。