[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-N101-4] 量子殻デバイスのp-GaN成長条件最適化

〇宮本 義也¹、曽根 直樹^1,2、奥田 廉士¹、Weifang Lu¹、奥野 浩司^1,3、伊藤 和真¹、山村 志織¹、神野 幸美¹、中山 奈々美¹、勝呂 紗衣¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大学、2.小糸製作所、3.豊田合成)

キーワード：ナノワイヤ、MOVPE