[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-N101-7] 極性面フリーな三次元GaN構造の成長発展メカニズム

〇松田 祥伸¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、三次元構造、選択成長法

蛍光体フリーな多色発光素子として，我々は，半極性面GaN基板上に極性面フリーな3D InGaN QWを作製し，輻射再結合寿命の短い多色発光構造を提案している．3D QWの特徴として，下地3D GaN構造の形状制御による発光スペクトル制御が挙げられ，極性面フリーな構造においてもその制御性を確認している．しかし，その3D GaN構造の成長発展メカニズムは未解明であった．本研究では，極性面フリーな3D GaN構造の成長発展過程を考察したので報告する．