[13p-N101-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13p-N101-8] Development of GaN polarity inversion technology using metalorganic vapor phase epitaxy

〇Tomotaka Murata¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Masahiro Uemukai¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, polarity inversion, MOCVD

GaNなどの窒化物半導体は大きな非線形光学定数を有しており、積層方向に極性を反転させた横型擬似位相整合構造を採用することで高効率な波長変換が実現できる。エピタキシャル成長において、低温バッファ層において−c極性AlN表面に酸化膜が形成されることにより、再成長時に+c極性で成長することが報告されている。本研究ではAlNの極性反転を利用し、AlN表面酸化膜を介したGaNエピタキシャル極性反転を試みた。