[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-N101-8] 有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発

〇村田 知駿¹、谷川 智之¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、極性反転、有機金属気相成長

GaNなどの窒化物半導体は大きな非線形光学定数を有しており、積層方向に極性を反転させた横型擬似位相整合構造を採用することで高効率な波長変換が実現できる。エピタキシャル成長において、低温バッファ層において−c極性AlN表面に酸化膜が形成されることにより、再成長時に+c極性で成長することが報告されている。本研究ではAlNの極性反転を利用し、AlN表面酸化膜を介したGaNエピタキシャル極性反転を試みた。