[13p-N106-1~6] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[13p-N106-5] 分子動力学法を用いたSiGe混晶内の低エネルギー局在フォノンの振動モード解析

〇富田 基裕^1,2、S.Y.Y. Chung¹、横川 凌^2,3、小椋 厚志^2,3、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.明大MREL、3.明大理工)

キーワード：SiGe、フォノン、分子動力学

近年、非弾性X線散乱法により、SiGeのフォノン分散関係を評価したところ、低エネルギー側に新たな振動モードが存在することがわかったが、この新たなモードがどのように振動しているのか明らかにできていなかった。本研究では分子動力学計算とフーリエ解析によって上記振動モードの平均二乗変位を求め、その振動状態を解析した。