[13p-N323-1~14] CS.11 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス、15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎のコードシェアセッション

[13p-N323-1] 単分散化による高効率PbS-QD赤外フォトダイオードの開発

〇小野 雅司¹、高田 真宏¹、白田 雅史¹ (1.富士フイルム)

キーワード：量子ドット、赤外、フォトダイオード

コロイドPbS-QDを光電変換層に備えたフォトダイオード素子において、光学設計と材料合成の観点で性能向上を実現した。光学干渉を加味した設計により、QD層の光吸収が極大となる条件を見出した。併せて、粒子合成条件の改良により、励起子の半価半幅を低減させた。両者を組み合わせる事で、QDの励起子吸収帯におけるフォトダイオード素子としての外部量子効率を10%程度向上させた。