[13p-N323-1~14] CS.11 Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6 & 15.3

[13p-N323-1] High quantum efficiency PbS-QD infrared photodiode via improved QD monodispersity

〇Masashi Ono¹, Masahiro Takata¹, Masashi Shirata¹ (1.Fujifilm)

Keywords:quantum dot, infrared, photodiode

コロイドPbS-QDを光電変換層に備えたフォトダイオード素子において、光学設計と材料合成の観点で性能向上を実現した。光学干渉を加味した設計により、QD層の光吸収が極大となる条件を見出した。併せて、粒子合成条件の改良により、励起子の半価半幅を低減させた。両者を組み合わせる事で、QDの励起子吸収帯におけるフォトダイオード素子としての外部量子効率を10%程度向上させた。