[13p-N403-1~8] 9.3 Nanoelectronics

△ [13p-N403-1] Single electron conduction of Fe nanodot array fabricated on SiO₂ surfaces prepared by thermal oxidation and sputter deposition

〇Ikuma Amano¹, Takayuki Gyakushi¹, Ryota Tanizawa¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:Single-Electron Device, Nanoparticle

マルチドット単電子デバイスは、低消費電力・高機能性が可能な集積デバイスとして期待されている。しかしながら、動作温度の向上には、ドットサイズやドット密度のより自由な制御が不可欠となる。本研究では、ナノドットアレイの下地層が異なるデバイスを作製し、電気特性の評価を行なった。その結果、従来のものに比べ、より高密度でサイズの小さなドットを持つデバイスの作製に成功し、高温動作に繋がる重要な知見を得た。