[13p-N403-1~8] 9.3 Nanoelectronics

[13p-N403-4] CdS semiconductor quantum dot single electron transistor based on bottom-up process

〇Genki Ohkatsu¹, Takumi Nishinobo¹, Masaki Saruyama², Toshiharu Teranishi², Yutaka Majima¹ (1.Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Tech., 2.Institute for Chemical Research, Kyoto Univ.)

Keywords:single electron transistor, quantum dot

今回我々は、ナノギャップ間にCdS半導体量子ドットを化学吸着することでデバイスを作製し、単電子トランジスタ特性を確認したので報告する。