[13p-N403-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

[13p-N403-4] ボトムアッププロセスによるCdS半導体量子ドット単電子トランジスタ

〇大勝 賢樹¹、西之坊 拓海¹、猿山 雅亮²、寺西 利治²、真島 豊¹ (1.東京工業大学フロンティア材料研究所、2.京都大学化学研究所)

キーワード：単電子トランジスタ、量子ドット

今回我々は、ナノギャップ間にCdS半導体量子ドットを化学吸着することでデバイスを作製し、単電子トランジスタ特性を確認したので報告する。