[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-1] Snドープm面α-Ga₂O₃の抵抗値温度依存性

〇山下 修平¹、城川 潤二郎¹、柳生 慎悟²、四戸 孝²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.(株)FLOSFIA)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、電気測定

α酸化ガリウムは、パワーデバイスへの応用が期待されている新しい半導体材料である。今回我々は、Snドープm面α酸化ガリウムにおいて、0°方向と90°方向のそれぞれで電流電圧特性の温度依存性を測定した。すると、0°方向だけで2バンドモデルの影響が見られ、活性化エネルギーも0°方向のほうが小さくなった。この結果から、ドーパントであるSnが特定の方向に沿って偏析しているということが示唆された。