[13p-S201-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-S201-2] Search for an acceptor in β-Ga2O3 I: Face to Face Anneal

〇(M1)Shunnosuke Miki¹, Ryusuke Iimura², Masanobu Miyamoto¹, Ryo Shimazu¹, Shigenobu Yamakoshi², Kouhei Sasaki², Akito Kuramata², Kazushi Miki¹ (1.U. Hyogo, 2.NCT)

Keywords:wide gap semiconductor, gallium oxide, p type dopant

パワーデバイスの新材料として低コスト、高耐圧、低損失化が期待できるβ-Ga₂O₃が注目されている。しかし、β-Ga₂O₃は p 型ドーパントが未発見であるため、高耐圧なデバイスの開発が困難な状況にある。そこで我々は、イオン注入法を用いてp型不純物探索を行っている。高温アニールによるドーパント活性化を試みた際、1000℃以上のアニールにおいて表面近傍が絶縁化するといった課題が存在するため、本研究ではこの課題の解決法を模索する。