[13p-S201-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-S201-3] Search for an acceptor in β-Ga2O3 : Ba

〇(M1)Shunnosuke Miki¹, Masanobu Miyamoto¹, Ryo Shimazu¹, Masaki Maekawa², Ryusuke Iimura³, Yi Tang¹, Atsuo Kawasuso², Sigenobu Yamakoshi³, Akito Kuramata³, Kouhei Sasaki³, Kazushi Miki¹ (1.U. Hyogo, 2.QST Takasaki, 3.NCT)

Keywords:Wide gap semiconductor, gallium oxide, p type dopant

省エネ問題を解決するために、パワーデバイスの性能向上が求められている。その新材料として注目されているβ-Ga₂O₃はp 型ドーパントが未発見であるため、高耐圧なデバイスの開発が困難な状況にある。そこで我々は、イオン注入法を用いてp型不純物探索を行っている。本研究では、β-Ga₂O₃のｐ型ドーパントの有力な候補として Zn、Ba、Srに注目した。このうちBaについてのp型探索の現状報告を行う。