[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-4] Ga₂O₃/Siヘテロ構造の作製及び構造評価

〇(M2)高月 大輝¹、東脇 正高²、清水 康雄³、大野 裕³、永井 康介³、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大、2.情報通信研究機構、3.東北大金研)

キーワード：酸化ガリウム、表面活性化接合法

β型単結晶酸化ガリウムは高いバンドギャップを有し、次世代パワー半導体材料として有望である。しかし、十分なホール伝導性を有するp型Ga₂O₃が未だ実現されていない。この課題に対する解決策として、Ga₂O₃以外の半導体を用いてヘテロ構造を作製することが挙げられる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でGa₂O₃/Siヘテロ構造を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。