13:45 〜 14:00
[13p-S201-4] Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価
キーワード:酸化ガリウム、表面活性化接合法
β型単結晶酸化ガリウムは高いバンドギャップを有し、次世代パワー半導体材料として有望である。しかし、十分なホール伝導性を有するp型Ga2O3が未だ実現されていない。この課題に対する解決策として、Ga2O3以外の半導体を用いてヘテロ構造を作製することが挙げられる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でGa2O3/Siヘテロ構造を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。