2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年9月13日(月) 13:00 〜 16:45 S201 (口頭)

尾沼 猛儀(工学院大)、後藤 健(農工大)

13:45 〜 14:00

[13p-S201-4] Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価

〇(M2)高月 大輝1、東脇 正高2、清水 康雄3、大野 裕3、永井 康介3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪市大、2.情報通信研究機構、3.東北大金研)

キーワード:酸化ガリウム、表面活性化接合法

β型単結晶酸化ガリウムは高いバンドギャップを有し、次世代パワー半導体材料として有望である。しかし、十分なホール伝導性を有するp型Ga2O3が未だ実現されていない。この課題に対する解決策として、Ga2O3以外の半導体を用いてヘテロ構造を作製することが挙げられる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でGa2O3/Siヘテロ構造を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。