[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-12] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE法)によるβ-Ga2O3の高アスペクトナノ構造の作製

〇山崎 裕貴¹、木下 堅太郎¹、今田 陵斗¹、相川 健喜¹、門馬 智亮¹、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)

キーワード：酸化物半導体