[13p-S201-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-S201-13] Effect of oxygen partial pressure on b-Ga₂O₃ crystals grown by crucible free techniques

〇Isao Takahashi¹, Taketoshi Tomida¹, Takamasa Sugawara², Nobuhiro Shoji¹, Vladimir Kochurikhin¹, Kei Kamada^1,2, Koichi Kakimoto³, Akira Yoshikawa^1,2 (1.C and A corp., 2.Tohoku Univ., 3.Kyushu Univ.)

Keywords:Gallium Oxide, Skull melting, Mist CVD

β-Ga₂O₃の新しい結晶育成手法として、貴金属ルツボを用いないスカルメルト＋Cz法を開発している。本手法では、ルツボの酸化による雰囲気の制限がないため、100％の酸素雰囲気で結晶を成長でき、点欠陥の少ない結晶が期待される。講演では、FZ法の結晶との比較も含めルツボフリーで成長させた結晶の物性評価の結果を報告する。