[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-13] 貴金属ルツボフリーβ-Ga₂O₃結晶育成法による成長中の酸素濃度の影響

〇高橋 勲¹、富田 健稔¹、菅原 孝昌²、庄子 育宏¹、Kochurikhin Vladimir¹、鎌田 圭^1,2、柿本 浩一³、吉川 彰^1,2 (1.㈱C＆A、2.東北大、3.九大)

キーワード：酸化ガリウム、スカルメルト法、ミストCVD

β-Ga₂O₃の新しい結晶育成手法として、貴金属ルツボを用いないスカルメルト＋Cz法を開発している。本手法では、ルツボの酸化による雰囲気の制限がないため、100％の酸素雰囲気で結晶を成長でき、点欠陥の少ない結晶が期待される。講演では、FZ法の結晶との比較も含めルツボフリーで成長させた結晶の物性評価の結果を報告する。