[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-14] ミスト CVD 法によるβ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜成長

〇金子 真大¹、堀江 竜斗¹、梶田 優気¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD法

β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は酸化ガリウムの最安定相であり，4.8 eVのワイドバンドギャップ，約8 MV/cmの高い絶縁破壊電圧を有する半導体材料である．SiCやGaN と比較して優れたパワーデバイス性能を持つため，5GやIoTなど次世代通信技術を支えるパワー半導体デバイスへの応用が期待される．本稿では，ミストCVD法を用いたβ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜成長について報告する．