[13p-S201-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-S201-14] Epitaxial growth of β-(AlxGa1-x)2O3 thin films on (010)β-Ga2O3 substrates by mist Chemical Vapor Deposition

〇Masahiro Kaneko¹, Ryuto Horie¹, Yuki Kajita¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Gallium Oxide, Mist Chemical Vapor Deposition

β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は酸化ガリウムの最安定相であり，4.8 eVのワイドバンドギャップ，約8 MV/cmの高い絶縁破壊電圧を有する半導体材料である．SiCやGaN と比較して優れたパワーデバイス性能を持つため，5GやIoTなど次世代通信技術を支えるパワー半導体デバイスへの応用が期待される．本稿では，ミストCVD法を用いたβ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜成長について報告する．