[13p-S201-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-S201-4] Fabrication and Structural Characterization of Ga₂O₃/Si Heterostructure

〇(M2)Daiki Takatsuki¹, Masataka Higashiwaki², Yasuo Shimizu³, Yutaka Ohno³, Yasuyoshi Nagai³, Naoteru Shigekawa¹, Jianbo Liang¹ (1.Osaka City Univ., 2.NICT, 3.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:Ga2O3, surface activated bonding

β型単結晶酸化ガリウムは高いバンドギャップを有し、次世代パワー半導体材料として有望である。しかし、十分なホール伝導性を有するp型Ga₂O₃が未だ実現されていない。この課題に対する解決策として、Ga₂O₃以外の半導体を用いてヘテロ構造を作製することが挙げられる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でGa₂O₃/Siヘテロ構造を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。