[21a-P03-1~7] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

[21a-P03-7] Microfabrication of Si with KOH etchant using fine mask pattern irradiated by Ar⁺ ion beam

〇Mina Sato¹, Mie Tohnishi¹, Akihiro Matsutani¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:ECR, KOH, Microfabrication

Ar-ECRイオンビームを用いてSi表面をアモルファス化し、KOHエッチングによるSiの微細加工の結晶方位依存性について実験を行った。結晶方位を反映したエッチング形状が得られ，Ar+照射部分がKOHエッチングでのマスクとして機能していることがわかった。当日はドーズ量, イオンビーム入射角度, 加速電圧とエッチング耐性限界深さの関係についても報告する予定である。