[21a-P03-1~7] 1.3 新技術・複合新領域

[21a-P03-7] エッチングマスクとしてAr⁺イオンビームを照射した微細マスクパターンを用いたKOHエッチングによるSiの微細加工

〇佐藤 美那¹、遠西 美重¹、松谷 晃宏¹ (1.東工大 OFC)

キーワード：ECR、KOH、微細加工

Ar-ECRイオンビームを用いてSi表面をアモルファス化し、KOHエッチングによるSiの微細加工の結晶方位依存性について実験を行った。結晶方位を反映したエッチング形状が得られ，Ar+照射部分がKOHエッチングでのマスクとして機能していることがわかった。当日はドーズ量, イオンビーム入射角度, 加速電圧とエッチング耐性限界深さの関係についても報告する予定である。