[21p-P01-1~31] 2 Ionizing Radiation(Poster)

[21p-P01-27] Consideration of annealing effects for CdTe pn diodes fabricated by laser doping method

〇Amane Ohno¹, Junichi Nishizawa², Hisaya Nakagawa², Katsuyuki Takagi², Kento Tabata², Tetsu Itou², Toru Aoki^1,2 (1.Shizuoka Univ., 2.Shizuoka Univ RIE.)

Keywords:CdTe, anneal, semiconductor detector

CdTeは150℃以上の加熱処理によって特性が劣化することが知られており，不活性なドーパントの活性化を促すために行われるアニール処理は不向きであると考えられてきた．しかしCdTe pnダイオードにおいて150℃以上の加熱処理を施しても特性劣化が見られなかったことから，CdTeに対しアニール処理が出来る可能性を報告した．そこでCdTe pnダイオードに対しアニール処理を行い，アニール効果についてフォトルミネッセンス測定を用いて検討した．