[21p-P09-1~4] 3.11 フォトニック構造・現象

[21p-P09-2] フォトニック結晶およびプラズモニック導波路内における半導体ナノワイヤの光閉じ込め最適化と比較

〇滝口 雅人^1,2、谷山 秀樹^1,2、小野 真証^1,2、角倉 久史^1,2、舘野 功太^1,2、国強 章^1,2、新家 昭彦^1,2、納富 雅也^1,2 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研)

キーワード：フォトニック結晶、ナノワイヤ

化合物半導体ナノワイヤ(NW)は光学利得を持つサブ波長サイズの一次元ナノ材料である。このNWをSi光回路に集積すれば、高効率で低エネルギー動作する光学素子を実現できる[1]。これまで我々はこのNWをSiフォトニック結晶(PhC)トレンチ導波路に集積してきた [1]。そこで今回、将来のSi上への化合物半導体の直接成長や矩形断面ナノワイヤの転写を念頭においた設計の見直し、プラズモニック構造の比較を行った。
[1] M. Notomi, et.al., Opt. Mater. Express, 10, 2560 (2020)