[22a-P03-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P03-15] 一軸圧縮熱処理による酸化バナジウム高配向薄膜の結晶相制御

〇(M1)庄司 拓貴¹、金子 健太¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、吉本 護¹、松田 晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：一軸圧縮熱処理、酸化バナジウム、相制御

酸化バナジウムはV²⁺〜V⁵⁺までの酸化状態を示し、多様なデバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、非晶質V₂O₅薄膜を一軸圧縮熱処理(UCA)により固相結晶化し、印加圧力に応じたVO₂、V₂O₃エピタキシャル薄膜の相制御について報告してきた。本研究では、前駆体薄膜として結晶配向膜を用いた構造・方位関係を継承した新たな相制御を目的として、V₂O₅配向膜のUCAによる結晶相変化と印加圧力による相制御および物性への影響を検討した。