[22a-P04-1~18] 6.4 Thin films and New materials

[22a-P04-10] Room-temperature atomic layer deposition of silica and aluminosilicate multiple layers and its application for ion sorption

〇Takeru Saito¹, Kentaro Saito^1,2, Masanori Miura³, Kensaku Kanomata³, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, aluminosilicate, ion sorption

近年アルミノシリケート薄膜は、イオン吸着など様々な分野で応用されている。アルミノシリケートは、3価であるAl原子が４つのO原子に囲まれることで表面が負に帯電し、陽イオンを吸着する。しかし膜内にAl-O-Al結合が生じるとAlO₄四面体が形成できない問題がある(Loewenstein則)。そこで本研究では、室温原子層堆積法を用いてアルミノシリケートとシリカの多層膜構造を作製し、Al-O-Al結合を抑制することで吸着性能の向上を狙った。