[22a-P04-1~18] 6.4 Thin films and New materials

[22a-P04-18] Phase Change Phenomenon of Ge2Sb2Te5 Thin Layer Induced by Electric Discharge

〇(B)So Morita¹, Joe Sakai², Masashi Kuwahara³, Satoshi Katano¹ (1.Riec, Tohoku Univ., 2.Toshima Manufacturing Co., Ltd., 3.AIST)

Keywords:GST, chalcogenide, phase change phenomenon

本研究では相変化型不揮発性メモリーへの応用が期待されるGe₂Sb₂Te₅（GST）薄膜の相変化を放電処理によって簡便に実現できないか検証した。Si基板上に成膜したアモルファスGST薄膜に放電処理を行ったところ、結晶GSTに帰属される大きさ5−10 μmの島状構造が多数観察された。つまり、放電によるGSTの局所的な加熱によってアモルファスから結晶への相変化が誘起されたと考えられる。本講演では、光照射によるGST相変化の結果と合わせて議論する。