[22a-P08-1~11] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22a-P08-10] 斜入射スパッタリング法により作製したSnO2薄膜の電気的特性

〇亀田 悠真¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大工、2.関東学院大材料表面研)

キーワード：スパッタリング法、酸化スズ、ガスセンサー材料

SnO2はガスセンサー材料としてよく利用されている.本研究では,斜入射堆積スパッタリング法により,離散的柱状構造を有するSnO2薄膜を作製し,そのガスセンシング特性の温度依存性を調べることを目的とする.作製したSnO2薄膜は,部分的に深い空隙を有する構造であった.基盤温度200℃の測定条件において,エタノール導入後100s程度で約20％の電気抵抗降下が認められた.