[22a-P08-1~11] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22a-P08-8] 有機シリコン原料を用いたCCP-CVD法によるスポンジ状SiO:CHの形成

〇中泉 有稀¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大工、2.関東学院大材料表面研)

キーワード：SiO:CH、CCP-CVD、超はっ水

有機基含有シリカ(SiO:CH)は表面に微細凹凸構造を形成することにより超撥水特性を示す．我々は，CCP-CVD法を用いたSiO:CH微粒子堆積膜形成プロセスにおいて，微粒子生成が局所的に異常促進され，白色のスポンジ状構造が15分で高さ6 mmまで成長する現象を発見した．スポンジ状堆積物は，プラズマ中で生成したSiO:CH微粒子が三次元網目状に結合して形成されていることがわかった．