[22p-P01-1~12] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22p-P01-12] 反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成(IV)

〇竹中 弘祐¹、林 祐仁¹、小松 響¹、都甲 将¹、内田 儀一郎²、江部 明憲³、節原 裕一¹ (1.阪大接合研、2.名城大理工、3.イー・エム・ディー)

キーワード：IGZO、酸化物半導体