[22p-P01-1~12] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22p-P01-5] β-W薄膜の結晶構造に対する成膜基板温度およびWターゲット距離の影響

〇(M2)山中 智貴¹、リ ハンテ¹、伊庭野 健造¹、上田 良夫¹ (1.阪大工)

キーワード：プラズマ成膜、タングステン

プラズマ成膜により合成されるβ-Wは巨大なスピンホール効果をもつため、スピントロニクスデバイスの候補材として期待されている。しかしプラズマ成膜中でのβ-W合成のメカニズムの詳細は明らかになっていない。そこでSi基板の温度やWターゲットとの距離を変化させる事でβ-Wの構造に影響を与えると考え、作成したW薄膜をXRDやXRRを使用して結晶構造や膜厚、密度を評価し、プラズマ成膜中のβ-Wの構造に対して与える影響を調査した。