[23a-P03-1~4] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[23a-P03-3] Abnormal Piezoresistance Coefficient of p-Type Germanium

〇Kazunori Matsuda¹, Shiro Nagaoka², Masashi Yamamoto², Kazuo Tsutsui³, Hiroshi Kajiyama¹ (1.Tokushima Bunri Univ., 2.NIT Kagawa, 3.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:germanium, piezoresistance effects, impurity

ベル研究所のSmithが60年ほど前に調べたp型Geのピエゾ抵抗係数は負の値になっており，他のp型半導体と符号が異なる．理論的にも説明ができない問題である．本研究では，p型Geのピエゾ抵抗係数を詳しく調べることを目的としている．今回の報告では，p型Geの実験結果を示すとともに．ドナー不純物の影響について述べる．