2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[23a-P03-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2021年9月23日(木) 09:00 〜 10:40 P03 (ポスター)

09:00 〜 10:40

[23a-P03-4] 酸化グラフェンマイクロパターンを援用したシリコンの気相中エッチング

窪田 航1、宇都宮 徹1、一井 崇1、杉村 博之1 (1.京大院工)

キーワード:シリコンエッチング、酸化グラフェン、触媒

シリコン表面微細加工技術の一つとして,貴金属や炭素材料を触媒とした湿式アシストエッチングが注目されているが,触媒材料の脱離,触媒非被覆部のポーラス化といった課題があった.近年,湿式プロセスに替わる手法として気相中でのアシストエッチングが注目されている.前回我々は酸化グラフェンアシストエッチングへの気相法適用を報告した.今回我々は光プロセスを用いてGOパターンを形成し,パターンエッチングを行った.