[23a-P06-1~5] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[23a-P06-1] Study on PD Structures of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Image Sensors

〇(M1)Masayuki Tsutsumi¹, Tatsuya Meguro¹, Kazuya Kawamura¹, Takeshi Ohshima², Yasunori Tanaka³, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.RNBS, Hiroshima Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:semiconductor, SOI, image sensor

本研究グループではSi PDとSiC MOSFETを組み合わせたハイブリッド構造の耐放射線イメージセンサを提案してきた。このハイブリッド構造はSOIを用いた直接接合によって形成する。Si-PD本研究ではこの4H-SiC/SOI-SiハイブリッドイメージセンサにおけるSi PDのデバイス構造検討を行ったので報告する。